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當(dāng)前位置：首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  2 PVD  >  Ionfab 300 IBD離子束沉積

離子束沉積

簡要描述：離子束沉積產(chǎn)品是因為它們能夠生產(chǎn)具有高質(zhì)量，致密和表面光滑的沉積薄膜。離子束技術(shù)提供了一種多樣的刻蝕和沉積的方法，并可在同一設(shè)備上實現(xiàn)， 因而提高系統(tǒng)的利用率。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)規(guī)格與實際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。

  • 產(chǎn)品型號：Ionfab 300 IBD
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時間：2024-08-12
  • 訪  問  量： 353

詳細(xì)介紹

  • 多模式功能

  • 能夠與其它等離子體刻蝕和沉積設(shè)備相集成

  • 單晶圓傳送模式或集群式晶圓操作

  • 雙束流配置

  • 更低的表面薄膜粗糙度

  • 更佳的批次均勻性和工藝重復(fù)性

  • 準(zhǔn)確終點監(jiān)測 —— SIMS，發(fā)射光譜

    產(chǎn)品特點

  • 質(zhì)量薄膜高 ——超低污染

  • 產(chǎn)量高，緊湊的系統(tǒng)體積設(shè)計-——運行成本低

  • 高速襯底架（高達1000RPM）設(shè)計，并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器（WLOM）——更為精確的實時光學(xué)薄膜控制

  • 配置靈活 ——適于先進的研究應(yīng)用

  • 靈活的晶圓操作方式 —— 直開式、單晶圓傳送模式或者帶機械手臂的盒對盒模式

    應(yīng)用

  • 磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）

  • 介電薄膜

  • III-V族光電子材料刻蝕

  • 自旋電子學(xué)

  • 金屬電極和軌道

  • 超導(dǎo)體

  • 激光端面鍍膜

  • 高反射（HR）膜

  • 防反射（AR）膜

  • 環(huán)形激光陀螺反射鏡

  • X射線光學(xué)系統(tǒng)

  • 紅外（IR）傳感器

  • II-VI族材料

  • 通信濾波器




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