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碳化硅沉積系統(tǒng)G10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障市場上最高的晶圓產(chǎn)量 / m2市場上晶圓出色的運行過程性能高度均勻、低缺陷的 SiC 外延工藝，可實現(xiàn)最大的芯片良率

化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)“行星式反應(yīng)器模塊，用于在150/200毫米襯底（Si/藍寶石/SiC）上應(yīng)用氮化鎵，可提高生產(chǎn)率和晶圓性能”

化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)AIX G5 WW C“下一代碳化硅電力電子器件的最佳性能，以應(yīng)對全球大趨勢”高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。

化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)AIX 2800G4-TM （IC2）“基于 GaAs/InP 的光電子學(xué)和射頻應(yīng)用的 HVM 最佳反應(yīng)器”

金屬有機源氣相沉積系統(tǒng)MOCVD主要由真空室反應(yīng)系統(tǒng)、氣體（載氣與氣相有機源）輸運控制系統(tǒng)、有機源蒸發(fā)輸運控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護報警系統(tǒng)組成。 MOCVD系統(tǒng)作為化合物半導(dǎo)體、超導(dǎo)等薄膜材料研究和生產(chǎn)的手段，特別是作為工業(yè)化生產(chǎn)的設(shè)備，有著其它半導(dǎo)體設(shè)備無法替代的優(yōu)點。它的高質(zhì)量、穩(wěn)定性、重復(fù)性及多功能性越來越為人們所重視。