1.產(chǎn)品概述：

本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。

2.設(shè)備特點(diǎn)：

本設(shè)備是一個(gè)鍍膜平臺(tái)，可把磁控靶拆下?lián)Q電子槍成為電子束鍍膜系統(tǒng)、或換蒸發(fā)源作為熱蒸發(fā)系統(tǒng)、或換上離子槍作為離子束鍍膜系統(tǒng)等。

設(shè)備用途：用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

3.真空室：

真空室結(jié)構(gòu):方形開(kāi)門(mén)

真空室尺寸:φ500x500x500mm

限真空度:≤3.0E-5Pa

沉積源:永磁靶4套，φ2英寸

樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，高800℃

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約2米×1.7米×2米

電控描述:全自動(dòng)

工藝:具備計(jì)算機(jī)化的工藝自動(dòng)化功能。

片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%