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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  5 刻蝕設(shè)備  >  RIE-800iPB電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

簡要描述:Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備,使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是為Bosch工藝設(shè)計的用硅蝕刻系統(tǒng)(由Robert Bosch GmbH授權(quán))。該系統(tǒng)的反應(yīng)室、電、平臺和真空設(shè)計克服了在競爭系統(tǒng)中遇到的問題,可實(shí)現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻,具有行業(yè)先的

  • 產(chǎn)品型號:RIE-800iPB
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 368

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

Samco 的 RIE-800iPB 是一種高性能的電感耦合等離子體 (ICP) 蝕刻系統(tǒng),使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。

RIE-800iPB是為Bosch工藝設(shè)計的用硅蝕刻系統(tǒng)(由Robert Bosch GmbH授權(quán))。該系統(tǒng)的反應(yīng)室、電、平臺和真空設(shè)計克服了在競爭系統(tǒng)中遇到的問題,可實(shí)現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻,具有行業(yè)先的選擇性(超過100:1)。

2. 設(shè)備用途/原理

MEMS(加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等)。通過硅通道(TSV)、噴墨打印機(jī)頭的加工、功率器件(超結(jié)MOSFET)等離子切割/劃線。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

MEMS量產(chǎn)中的高速蝕刻,量產(chǎn)中的高寬比蝕刻,扇貝的控制/無扇貝的非波西法流程,傾斜控制,均勻性好,用于絕緣體硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脈沖。


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