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詳細介紹 ICP是一種加工微納結構的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設備。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點。目前被廣泛應用于Si、SiO2、SiNx、金屬、III-V族化合物等材料的刻蝕。可應用于大規(guī)模集成電路、MEMS、光波導、光電子器件等領域中各種微結構的制作。

Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內8%，片間5%）和顆粒控制。在4微米厚鋁刻蝕工藝中，可以提供8000片/月的產(chǎn)能。 該設備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可為客戶產(chǎn)能升級提供幫助。

Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設備 設備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構成 適用于0.11微米及其它技術代的多晶硅柵（poly gate）、側墻（spacer）、淺溝槽隔離（STI）工藝

Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設備，為針對12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品， 同時也可應用于鋁墊（Al pad）刻蝕。該設備承襲了 Chimera® A 的先進設計理念，具有出色的均勻性調控手段， 可以為客戶提供高性價比的解決方案。

Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設備，為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一重復道次高的工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，以滿足 12 英寸產(chǎn)線的各種硬質掩膜刻蝕需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蝕腔可作為 LMEC-300™ 設備的選配模塊，實現(xiàn)從金屬硬掩模刻蝕到器件功能層刻蝕的一體化工藝。

Ganister™ A離子束沉積設備，是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應用。該設備采用濺射成膜，靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉靶材基座，更可處理多達四種靶材。選配的輔助離子源，可以實現(xiàn)原位預清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外，Ganister™ A的輔助離子源也可進行離子束刻蝕，一個腔室內兼?zhèn)鋬煞N工藝，顯著提高