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主要由丙二醇甲醚醋酸酯、甲酚 - 甲醛酚醛樹脂（CAS-NO.9016-83-5，濃度 21%）、6 - 重氮 - 5,6 - 二氫 - 5 - 氧代 - 1 - 萘磺酸與 2,3,4 - 三羥基二苯甲酮的酯化物（CAS-NO.68510-93-0，濃度 6%）等成分組成.

深硅刻蝕機(jī)PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時(shí)兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋。該機(jī)臺(tái)針對(duì)Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進(jìn)的快速響應(yīng)硬件配置及軟件流程控制，結(jié)合先進(jìn)的工藝技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺(tái)，滿足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求。

深硅刻蝕機(jī)HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成?？蓪?shí)現(xiàn)自動(dòng)化地上下料及自動(dòng)工藝。HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝。可以配置手動(dòng)及自動(dòng)傳輸系統(tǒng)。產(chǎn)品配置高密度雙立體等離子體源，中心邊緣進(jìn)氣，快速氣體切換，低頻脈沖下電極系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)高速、高深寬比及極小的側(cè)壁粗糙度。

卷對(duì)卷薄膜濺射系統(tǒng)裝置在真空狀態(tài)中對(duì)PET Film，以ITO或Metal Coating的設(shè)備, Heating, Plasma Etching, Sputter工序可以.

卷對(duì)卷薄膜濺射系統(tǒng)是在真空狀態(tài)下用于micro phone的厚度為4u Film的Gold(AU)做Sputtering的設(shè)備.

部件鍍膜設(shè)備是在真空狀態(tài)下在產(chǎn)品外部涂層非導(dǎo)電體的Coating設(shè)備，由真空內(nèi)產(chǎn)品做著自傳，公轉(zhuǎn),并能保持一定的膜厚度.